一种低电阻率氧化铌掺铌溅射旋转靶材及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201510180790.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104831243B | 公开(公告)日 | 2018-08-14 |
申请公布号 | CN104831243B | 申请公布日 | 2018-08-14 |
分类号 | C23C14/34;C22C29/12;C23C4/06;C23C4/134 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 罗永春;曾墩风;张斐;王志强 | 申请(专利权)人 | 厦门映日新材料科技有限公司 |
代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 芜湖映日科技有限公司 |
地址 | 241000 安徽省芜湖市芜湖经济技术开发区汽经一路5号1-005 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种低电阻率氧化铌掺铌溅射旋转靶材及其制备方法。所述靶材由97.5‑99.5重量%NbOx和0.4‑2.4重量%Nb,余下为杂质组成;其中0.05<X<2.5;优选2<X<2.5。制备时,先进行不锈钢背管的制备;然后混粉,烘干,真空等离子喷涂和机械加工得到。采用本发明的配方,并引进新的生产工艺,得到的产品电阻率更低,而且透过率更高,极大的提高了产品性能。透过率主要和下游镀膜厂家设计的膜厚度和膜组成结构有关系,靶材致密度高,可以使得镀膜时在同等厚度下的膜透过率较高。可广泛用于触摸屏、光学玻璃镀膜、TFT等领域,对行业的进步有极大的推动作用。 |
