一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510180484.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104775097B | 公开（公告）日 | 2017-04-12 |
| 申请公布号 | CN104775097B | 申请公布日 | 2017-04-12 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C4/134(2016.01)I;C23C4/04(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 罗永春;曾墩风;罗建冬;王志强 | 申请（专利权）人 | 厦门映日新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方惠春 |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市芜湖经济技术开发区汽经一路5号1-005 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法。其由0.03‑0.5wt％的硼、99.4wt％‑99.9wt％的硅及杂质制备得到。本发明还保护了所述微硼溅射旋转硅靶材的制备方法。本发明通过在硅旋转靶材材料的硅中添加硼，并引进新的生产工艺，得到的产品电阻率更低，结合强度高，极大的提高了产品性能，可广泛用于液晶显示玻璃镀膜、光学镀膜等领域，对行业的进步有极大的推动作用。 |
