一种LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110583610.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314648A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314648A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L33/10（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆宗力 |
| 地址 | 361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方，通过第一DBR层和第二DBR层的设置，增加了LED芯片中DBR反射结构的反射率和反射谱，使得DBR反射结构在宽谱范围内的反射率处于较高的水平，进而保证LED芯片的发光亮度高。并且，本发明通过第一DBR层和第二DBR层即能实现LED芯片发光亮度提高的目的，使得LED芯片的结构和制备工艺简单。 |
