一种高增益有源区的生长方法及VCSEL的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201911187939.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110867727B | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN110867727B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/30;H01S5/343 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;杜石磊;韩效亚;吴真龙 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361001 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高增益有源区的生长方法及VCSEL的生长方法，高增益有源区的生长方法包括：周期性交替生长垒层和阱层，垒层的生长具体包括：通入III族源和V族源，所述III族源为金属有机物，降低温度和V‑III组分比，形成具有掺杂的垒层，所述V‑III组分比为V族源的组分与III族源的组分的比。通过降低温度和V族源与III族源的组分的比值，增加III族金属有机物的元素浓度，利用III族金属有机物自身的组成元素对垒层进行掺杂，无需引入其他掺杂源，有效避免了杂质的引入，克服了杂质缺陷。 |
