一种阵列式发光二极管器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110343349.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113078145A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN113078145A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01L25/075（2006.01）I;H01L33/48（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;F21K9/90（2016.01）I;F21Y115/10（2016.01）N | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 艾国齐;柯毅东;柯志杰 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆宗力 |
| 地址 | 361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧，使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处，进而降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。 |
