一种监测晶片生长薄膜特性的装置
基本信息
| 申请号 | CN201410035799.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104807754B | 公开（公告）日 | 2017-09-29 |
| 申请公布号 | CN104807754B | 申请公布日 | 2017-09-29 |
| 分类号 | G01N21/17(2006.01)I;G01J5/00(2006.01)I;G01L1/24(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 马铁中;严冬;刘健鹏;王林梓 | 申请（专利权）人 | 昂坤视觉（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤视觉（北京）科技有限公司 |
| 地址 | 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括反射率运算模块、温度运算模块和应力运算模块。该装置能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数的监测。 |
