一种晶片应力测量方法
基本信息
| 申请号 | CN201310271765.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103985653B | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN103985653B | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马铁中;刘健鹏;严冬;王林梓;焦宏达 | 申请（专利权）人 | 昂坤视觉（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤视觉（北京）科技有限公司 |
| 地址 | 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式（1）计算出应力； |
