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实时快速检测晶片基底二维形貌的方法

基本信息

申请号 CN201410188243.2 申请日 -
公开（公告）号 CN105091777B 公开（公告）日 2017-12-26
申请公布号 CN105091777B 申请公布日 2017-12-26
分类号 G01B11/24(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 刘健鹏;马铁中;严冬 申请（专利权）人 昂坤视觉（北京）科技有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤视觉（北京）科技有限公司
地址 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY；其中，N为3以上的自然数；根据各CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌。该方法包括该方法能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。