一种提高刻蚀效率的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111219997.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113900353A | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113900353A | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | G03F1/80（2012.01）I;G02B6/136（2006.01）I;G02B6/125（2006.01）I;G02B6/124（2006.01）I;G02B6/132（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 孙冰丽;陈军;王亚萍;孙健;苏晓华;常夏森;宋祎杰;丁福康 | 申请（专利权）人 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 郑州优盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 栗改 |
| 地址 | 458030河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法，用以解决现有半导体芯片制造过程中，由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为：根据半导体芯片的波导得到设计图形，在设计图形的周围设计马赛克图形，得到掩膜版图；根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候，在原来的掩膜版图周围生成马赛克，在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下，能够有效缩短刻蚀工艺时间，提高了刻蚀效率，从而提高半导体芯片的整体生产效率。 |
