整片制作省隔离器边发射激光器芯片的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911200851.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129945B | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN111129945B | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01S5/028;H01S5/22 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱洪亮;黄永光 | 申请（专利权）人 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 郑州优盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑园 |
| 地址 | 458030 河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种整片制作省隔离器边发射激光器芯片的方法，包括如下步骤：在晶圆衬底上依次外延生长缓冲层和有源波导层；以激光器芯片腔长为周期，腐蚀有源波导层端部，制作无波导区；在有源波导层上制作分布反馈光栅，在无波导区和分布反馈光栅上作二次外延层生长；在二次外延层上刻制横向和纵向交叉排列的刻蚀凹槽和脊形波导；在晶圆表面生长绝缘介质层制作正面电极，将衬底背面减薄，在衬底上制作背面电极；在晶圆上整片蒸镀端面介质膜；在线测试激光器芯片特性，解理出激光器芯片。本发明摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了激光器芯片的整片镀膜和在线测试筛选，降低了激光器芯片的制作、测试和耦合封装成本。 |
