记忆体元件阵列
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2019/113228 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021077389A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-29 |
| 申请公布号 | WO2021077389A1 | 申请公布日 | 2021-04-29 |
| 分类号 | H01L27/24;H01L29/423;H01L45/00;G11C13/00;G11C29/56;H01L21/66 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | LIU, CHUN-CHIH;刘峻志;LIAO, YU-CHENG;廖昱程;CHIU, HUNG-YU;邱泓瑜;LEE, YI-CHENG;李宜政 | 申请（专利权）人 | 江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.;北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
| 地址 | No. 601, East Changjiang Road, Huaiyin District, Huaian,Jiangsu 223300 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种记忆体元件阵列包含多条位元线、多条字线及多个晶体管。多条字线与位元线交错且电性绝缘；多个晶体管各包含源/漏极及栅极；各晶体管的源/漏极电性连接位元线的其中一者；栅极电性连接字线的其中一者；晶体管的栅极的至少二者具有不同的长度。在测试记忆体元件阵列时，可以取得更多的记忆体元件数据。 |
