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相变化记忆体及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810068238.6	申请日	-
公开（公告）号	CN108110139B	公开（公告）日	2021-11-19
申请公布号	CN108110139B	申请公布日	2021-11-19
分类号	H01L45/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	吴孝哲;王博文	申请（专利权）人	江苏时代芯存半导体有限公司
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国
地址	北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
法律状态	-

摘要

一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包含以下操作：（a）形成堆叠层结构于基材上，堆叠层结构包含第一加热材料层、第二加热材料层以及第一介电层；（b）形成第一凹口贯穿堆叠层结构；（c）形成第一导电接触结构于第一凹口中；（d）图案化堆叠层结构，使堆叠层结构的剩余部分形成第一图案化加热材料层、第二图案化加热材料层以及第一图案化介电层；（e）形成第二凹口贯穿堆叠层结构的剩余部分，第二凹口将第一图案化加热材料层及第二图案化加热材料层断开，而形成第一多层加热组件以及第二多层加热组件；以及（f）形成相变化组件于第二凹口中。在此亦揭露一种相变化记忆体。在此揭露的相变化记忆体具有更高的写入数据速度及可靠度。