测试结构及其测试方法

基本信息

申请号 CN202010088655.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113257788A 公开(公告)日 2021-08-13
申请公布号 CN113257788A 申请公布日 2021-08-13
分类号 H01L23/544;H01L45/00;G01R27/08 分类 基本电气元件;
发明人 廖昱程;刘峻志;张雄世;张明丰 申请(专利权)人 江苏时代芯存半导体有限公司
代理机构 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 孙佳胤;董琳
地址 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种测试结构及其测试方法,所述测试结构包括:第一子测试结构,包括第一串联结构,所述第一串联结构包括第一加热器,以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层,所述第一加热器的电阻值为待测阻值;第二子测试结构,包括第二串联结构,所述第二串联结构包括第二加热器,以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层,所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同,所述第二加热器的阻值与所述第一加热器的阻值之比小于设定值;以及所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。上述测试结构及其测试方法能够准确测量相变存储单元内加热器的阻值。