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相变化存储器及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010093033.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113270545A 公开（公告）日 2021-08-17
申请公布号 CN113270545A 申请公布日 2021-08-17
分类号 H01L45/00 分类 基本电气元件;
发明人 刘峻志;廖昱程;李承翰;邱青松 申请（专利权）人 江苏时代芯存半导体有限公司
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国
地址 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种相变化存储器，包含下电极、加热器、相变化层以及上电极。下电极包含电性接触的导电芯层以及热阻层，且热阻层围绕导电芯层的外侧面周围。加热器耦接于下电极，相变化层耦接于加热器，且上电极耦接于相变化层。