相变化记忆体
基本信息
| 申请号 | CN201711403141.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108123035B | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN108123035B | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L27/24 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏水金 | 申请（专利权）人 | 江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 地址 | 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭露一种相变化记忆体。相变化记忆体包含主动元件、下电极、阻障件、加热器、第一绝缘层、上电极以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，阻障件位于下电极上方，而加热器嵌于阻障件中。第一绝缘层覆盖加热器与阻障件，而上电极位于第一绝缘层上方。环状相变化层围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的至少一侧面。由于加热器与环状相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。 |
