相变化记忆体
基本信息
| 申请号 | CN201810339585.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108550696B | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN108550696B | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴孝哲 | 申请（专利权）人 | 江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 地址 | 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭露一种相变化记忆体。相变化记忆体包含相变化层、导电层、加热元件、第一绝缘垫以及接触结构。相变化层具有一主表面，导电层位于相变化层的主表面的一侧，且电性连接相变化层。加热元件接触相变化层的主表面。第一绝缘垫接触相变化层的主表面，且包含相对的第一侧面以及第二侧面，分别接触加热元件以及导电层。接触结构电性连接加热元件。此相变化记忆体具有低生产成本、稳定的品质及高的记忆单元密度。 |
