一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910808634.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110590176B | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN110590176B | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C03C17/34;C09K9/00 | 分类 | 玻璃；矿棉或渣棉; |
| 发明人 | 张勇;冯涛;史英迪;汤凯;秦永强;舒霞;崔接武;王岩;吴玉程 | 申请（专利权）人 | 合肥庐阳科技创新集团有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄轻拓知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王占华 |
| 地址 | 230001 安徽省合肥市庐阳区亳州路街道濉溪路335号蓝钻尚界B座6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法，属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂，提升了锂离子扩散速率，减少了电解质与锂金属的副反应，稳定锂金属与电解质界面反应，防止枝晶生长连接正负极造成短路，防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路，提升了电池的容量保持效率，延长了电池的循环寿命，且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能，同时，缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。 |
