一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010931651.8 申请日 -
公开(公告)号 CN112002781A 公开(公告)日 2020-11-27
申请公布号 CN112002781A 申请公布日 2020-11-27
分类号 H01L31/101(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 于永强;徐艳;宋龙梅;夏宇;许高斌;马渊明;陈兴 申请(专利权)人 合肥庐阳科技创新集团有限公司
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人 合肥工业大学
地址 230009安徽省合肥市包河区屯溪路193号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法,该探测器的结构为:在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层;在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔;在上层盲孔内沉积有二维2H‑MoSe2材料,在下层盲孔内沉积有二维1T‑WS2材料,两种材料与单晶硅衬底形成2H‑MoSe2/Si/1T‑WS2双极性异质结;上层二维2H‑MoSe2材料和下层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应,且响应速度快、易集成。