一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010931651.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112002781B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112002781B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L31/101;H01L31/109;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于永强;徐艳;宋龙梅;夏宇;许高斌;马渊明;陈兴 | 申请（专利权）人 | 合肥庐阳科技创新集团有限公司 |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 卢敏 |
| 地址 | 230001 安徽省合肥市庐阳区亳州路街道濉溪路335号蓝钻尚界B座6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔；在上层盲孔内沉积有二维2H‑MoSe2材料，在下层盲孔内沉积有二维1T‑WS2材料，两种材料与单晶硅衬底形成2H‑MoSe2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上层二维2H‑MoSe2材料和下层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应，且响应速度快、易集成。 |
