一种高密度NH<sub>3</sub>+SiH<sub>4</sub>弧放电等离子体发生装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高密度NH₃+SiH₄弧放电等离子体发生装置

基本信息

申请号	CN201120573876.7	申请日	-
公开（公告）号	CN202473623U	公开（公告）日	2012-10-03
申请公布号	CN202473623U	申请公布日	2012-10-03
分类号	H01H1/28(2006.01)I;H01H1/34(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈波	申请（专利权）人	成都科尚科技有限公司
代理机构	成都科奥专利事务所（普通合伙）	代理人	成都科尚科技有限公司
地址	610000 四川省成都市高新区天府大道北段1480号高新孵化园11号楼西楼4层402室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置，包括放电腔室、阳极、铈钨阴极、绝缘层、水冷铜板、拉瓦尔喷嘴、阴极本体和绝缘管，阴极本体通过绝缘管与放电腔室的顶部连接，铈钨阴极套装于阴极本体和绝缘管中，在阴极本体上设有氩气、氢气的导入口和冷却水的进口及出口，在放电腔室的底部设有绝缘层和水冷铜板，绝缘层-水冷铜板上下交错叠加3-7次，其中最下面一层为水冷铜板(12)，该水冷铜板(12)与阳极(16)直接接触，其上设有氨气气源的导入口(14)和通道；在阳极上设有硅烷气源的导入口及通道，在拉瓦尔喷嘴上的出口附近设有导出硅烷气源的雾化喷嘴。本实用新型高密度等离子体，又能简化减反射薄膜的制备工艺。