一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极

基本信息

申请号 CN201120574359.1 申请日 -
公开(公告)号 CN202465872U 公开(公告)日 2012-10-03
申请公布号 CN202465872U 申请公布日 2012-10-03
分类号 C23C16/513(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 陈波 申请(专利权)人 成都科尚科技有限公司
代理机构 成都科奥专利事务所(普通合伙) 代理人 成都科尚科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新区天府大道北段1480号高新孵化园11号楼西楼4层402室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极,包括阴极(2)、阴极本体(8)、密封罩(1)和绝缘隔套(6),密封罩(1)通过螺帽(5)和O型密封圈(4)安装于阴极本体(8)的上部,绝缘隔套(6)套装于阴极本体(8)的下部,阴极(2)通过紧定螺钉(3)固定于阴极本体(8)的中心孔内,其上端穿出阴极本体(8)位于密封罩(1)内,阴极本体(8)上设有逆变直流电源的接头(801)和氩气、氢气的导入口(802)。本实用新型使用寿命长、安装维修简便。