一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置
基本信息
| 申请号 | CN201120129195.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202095169U | 公开（公告）日 | 2011-12-28 |
| 申请公布号 | CN202095169U | 申请公布日 | 2011-12-28 |
| 分类号 | H05H1/28(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 陈波 | 申请（专利权）人 | 成都科尚科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都科奥专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都科尚科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区天府大道北段1480号高新孵化园11号楼西楼4层402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置，该等离子体发生装置在放电腔室(5)的顶部中央设有一根铈钨阴极(2)，在放电腔室(5)的底部设有绝缘层(7)，在绝缘层(7)下设有水冷铜板(10)，绝缘层-水冷铜板交错叠加5-8次，各绝缘层(7)和水冷铜板(10)的中心孔连通构成放电通道(15)，在第一个水冷铜板(10)内设有供气体源进入的气体源接口(8)，设有拉瓦尔喷嘴(17)的阳极(9)安装在最下面绝缘层(16)的下方，阳极(9)直接接地，水冷钨阴极(2)与直流电源连接。本实用新型不仅能保证产生高密度等离子体，而且还具有操作和维护方便、使用寿命长等优点，特别适合进行快速薄膜沉积使用。 |
