一种新型底发射垂直腔面发射激光器
基本信息
| 申请号 | CN201922210410.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210074422U | 公开（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申请公布号 | CN210074422U | 申请公布日 | 2020-02-14 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李迈克 | 申请（专利权）人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 地址 | 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括顺序形成在衬底基板表面的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层，衬底基板底面形成有向表面延伸具有内外深度差的出光孔，出光孔内层底部与下DBR间距为d且0 |
