NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911303100.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081769A | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN111081769A | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L29/737;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李迈克 | 申请（专利权）人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中之信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 地址 | 401520 重庆市草街街道嘉合大道500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi2层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极。本发明接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率，工艺简单且兼容现有硅基工艺。 |
