一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件
基本信息
| 申请号 | CN201921823837.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210073863U | 公开（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申请公布号 | CN210073863U | 申请公布日 | 2020-02-14 |
| 分类号 | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李迈克 | 申请（专利权）人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中之信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司;中合博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 地址 | 401520 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件，包括：位于Al2O3衬底之上的AlN过渡层；位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构；位于多层缓冲结构之上的AlGaN阻挡层；位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层之上的异质栅极结构。本实用新型能够提高沟道驱动电流，可对阈值电压进行灵活调整、能防止沟道载流子迁移率的恶化。 |
