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一种新型DBR结构的VCSEL

基本信息

申请号 CN201821740060.7 申请日 -
公开（公告）号 CN210640483U 公开（公告）日 2020-05-29
申请公布号 CN210640483U 申请公布日 2020-05-29
分类号 H01S5/183;H01S5/343 分类 基本电气元件;
发明人 周广正;黄瑞;代京京 申请（专利权）人 中证博芯（重庆）半导体有限公司
代理机构 重庆信航知识产权代理有限公司 代理人 中证博芯（重庆）半导体有限公司
地址 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种新型DBR结构的VCSEL，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差，减少了DBR对数，进而减小了串联电阻和对光的吸收。