台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构

基本信息

申请号	CN201921934642.3	申请日	-
公开（公告）号	CN209981219U	公开（公告）日	2020-01-21
申请公布号	CN209981219U	申请公布日	2020-01-21
分类号	H01L29/737;H01L29/47;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331	分类	基本电气元件;
发明人	李迈克	申请（专利权）人	中证博芯（重庆）半导体有限公司
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	中证博芯（重庆）半导体有限公司;中合博芯（重庆）半导体有限公司
地址	401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层构成的SOI衬底，埋氧层表面顺序层叠有P型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、N型重掺杂Si_1‑xGe_x基区层、P型掺杂单晶硅发射区帽层和P型重掺杂多晶硅发射区层，P型重掺杂多晶硅发射区层至P型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区和基区电极接触台面，P型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面，台面结构表面覆盖有氧化薄膜层，电极窗口形成有对应金属电极，基区电极接触区域里沉积有N型重掺杂Si_1‑yGe_y。本申请能提高器件截止频率和增益并减小基区渡越时间且能与常规硅基工艺兼容。