低噪声放大器的制作工艺
基本信息
申请号 | CN201711441307.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108233877A | 公开(公告)日 | 2018-06-29 |
申请公布号 | CN108233877A | 申请公布日 | 2018-06-29 |
分类号 | H03F1/26;H03F3/195;H03F3/213 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 方航;孟庆贤;俞昌忠;张庆燕;李小亮;余鹏;叶启伟 | 申请(专利权)人 | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 安徽华东光电技术研究所 |
地址 | 241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区华夏科技园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种低噪声放大器的制作工艺,包括:步骤1、拼接薄膜电路板;步骤2、将电路板与管壳粘接;步骤3、过孔填充;步骤4、粘贴元器件;步骤5、键合引线;步骤6、平行缝焊。该低噪声放大器的制作工艺无污染、制作工艺简单,更加科学实用;缩短了产品制作周期,并且产品合格率提高,为批量化生产提供了有力保障。 |
