低噪声放大器的制作工艺

基本信息

申请号 CN201711441307.5 申请日 -
公开(公告)号 CN108233877A 公开(公告)日 2018-06-29
申请公布号 CN108233877A 申请公布日 2018-06-29
分类号 H03F1/26;H03F3/195;H03F3/213 分类 基本电子电路;
发明人 方航;孟庆贤;俞昌忠;张庆燕;李小亮;余鹏;叶启伟 申请(专利权)人 安徽华东光电技术研究所有限公司
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 安徽华东光电技术研究所
地址 241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区华夏科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低噪声放大器的制作工艺,包括:步骤1、拼接薄膜电路板;步骤2、将电路板与管壳粘接;步骤3、过孔填充;步骤4、粘贴元器件;步骤5、键合引线;步骤6、平行缝焊。该低噪声放大器的制作工艺无污染、制作工艺简单,更加科学实用;缩短了产品制作周期,并且产品合格率提高,为批量化生产提供了有力保障。