静电卡盘及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011546581.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664723A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664723A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨鹏远;王建冲;张玉利;侯占杰;王超星;黎远成;何宏庆;樊文凤;唐娜娜 | 申请（专利权）人 | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京荟英捷创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街19号院2号楼2层（北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种静电卡盘及其制造方法，涉及半导体制造领域。该静电卡盘包括绝缘基板、电极层及介电层；绝缘基板开设有通孔，用于引出电极连接线；电极层固定设置于绝缘基板，电极层包括两个电极，两个电极均呈梳型，且两个电极的一级梳齿交错设置，各一级梳齿均设置有多个二级梳齿，相邻两个一级梳齿的二级梳齿亦交错设置；介电层固定设置于电极层以及绝缘基板设置有电极层的表面的裸露部分，介电常数范围为4‑6。该静电卡盘中，电极层能够产生交错分布的高密度的不均匀静电场，介电层能够承受较高的静电电压，所以，该静电卡盘能够以足够大的静电力对晶圆的多个不同位置进行吸附，从而能够较好地吸附高电阻材质和/或大翘曲的衬底的晶圆。 |
