一种具有双面散热的半导体器件及其封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201910478080.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110335821A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN110335821A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜峰;朱正宇;邢卫兵 | 申请（专利权）人 | 通富通科（南通）微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李庆波 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市崇川路288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种具有双面散热的半导体器件及其封装方法，该封装方法包括：在第一散热板的第一表面形成第一焊料层以及在第二散热板的第三表面上形成第二焊料层；在第一焊料层和/或第二焊料层上设置芯片；将第一引线框架和第二引线框架分别与第一焊料层和第二焊料层未被芯片覆盖的区域连接；将第一引线框架和第二引线框架相对固定设置，第一散热板与第二散热板之间具有预设距离；在第一引线框架和第二引线框架之间的区域形成塑封层；切割掉相邻第一散热板之间的塑封层、第一引线框架以及第二引线框架，以获得单颗半导体器件。通过上述方式，本申请能够提升散热板上可设置芯片的区域面积。 |
