一种薄膜型熔断器及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911074381.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110828243B | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN110828243B | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨漫雪;邓琪 | 申请（专利权）人 | 南京隆特电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 210049 江苏省南京市栖霞区青马路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜型熔断器，包括基体、熔断体、电极；所述熔断体为金属片形并贴合在基体上，熔断体即便较为微型，基体也能够作为熔断体的支撑，使熔断体的形状加工易控制，可以精确控制熔体厚度和图形，从而实现更小电流规格的熔断器的制造。且制造该熔断器的制造方法简单可行，通过简单薄膜工艺即可完成。 |
