硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911328351.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113013029A | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN113013029A | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L31/18;C09G1/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张临安;邓伟伟 | 申请（专利权）人 | 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 巩克栋 |
| 地址 | 215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％‑8wt％，表面活性剂5wt％‑13wt％，分散剂2wt％‑7wt％，缓释剂1wt％‑5wt％，功能性助剂5wt％‑14wt％，山梨酸钾1wt％‑4wt％。所述去绕镀方法包括：采用包含碱和所述添加剂的去绕镀试剂，利用湿化学方法，对绕镀多晶硅或非晶硅的硅太阳能电池片进行去绕镀反应。本发明提供的添加剂适用于硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅过程，该添加剂可以在碱液去绕镀多晶硅或非晶硅的过程中起到保护氧化硅的目的，保护硅太阳能电池片的正面和/或背面不被破坏。 |
