二维方向导磁的导磁体结构

基本信息

申请号 CN201610442867.1 申请日 -
公开(公告)号 CN107527704A 公开(公告)日 2017-12-29
申请公布号 CN107527704A 申请公布日 2017-12-29
分类号 H01F7/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张晓东;甘廷文 申请(专利权)人 深圳市安普盛科技有限公司
代理机构 深圳中一专利商标事务所 代理人 深圳市安普盛科技有限公司
地址 518000 广东省深圳市南山区科技园高新中二道5号生产力大楼B座6楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及导磁材料技术领域,具体为一种二维方向导磁的导磁体结构。所述结构由沿x轴方向的若干并排的长条状导磁体和沿y轴方向的若干并排的所述长条状导磁体相互贴合或者编织而成;所述相互贴合的导磁体结构中,导磁体相互贴紧的部位设有绝缘层材料,所述绝缘层材料将x轴方向的长条状导磁体和y轴方向的长条状导磁体相互绝缘;或,所述相互编织的导磁体结构中,所述长条状导磁体表面涂覆有将x轴方向的导磁体和y轴方向的导磁体进行绝缘的绝缘层。本发明的二维方向导磁的导磁体结构,仅二维方向上有很好的导磁性能,一方面保证了导磁体本身的高导磁性,另一方面切断了环路涡流,能极大的降低涡流损耗。