二维方向导磁的导磁体结构
基本信息
申请号 | CN201610442867.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107527704A | 公开(公告)日 | 2017-12-29 |
申请公布号 | CN107527704A | 申请公布日 | 2017-12-29 |
分类号 | H01F7/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张晓东;甘廷文 | 申请(专利权)人 | 深圳市安普盛科技有限公司 |
代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人 | 深圳市安普盛科技有限公司 |
地址 | 518000 广东省深圳市南山区科技园高新中二道5号生产力大楼B座6楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及导磁材料技术领域,具体为一种二维方向导磁的导磁体结构。所述结构由沿x轴方向的若干并排的长条状导磁体和沿y轴方向的若干并排的所述长条状导磁体相互贴合或者编织而成;所述相互贴合的导磁体结构中,导磁体相互贴紧的部位设有绝缘层材料,所述绝缘层材料将x轴方向的长条状导磁体和y轴方向的长条状导磁体相互绝缘;或,所述相互编织的导磁体结构中,所述长条状导磁体表面涂覆有将x轴方向的导磁体和y轴方向的导磁体进行绝缘的绝缘层。本发明的二维方向导磁的导磁体结构,仅二维方向上有很好的导磁性能,一方面保证了导磁体本身的高导磁性,另一方面切断了环路涡流,能极大的降低涡流损耗。 |
