硅晶体的连续生长装置
基本信息
| 申请号 | CN201810707594.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108754610B | 公开（公告）日 | 2020-03-17 |
| 申请公布号 | CN108754610B | 申请公布日 | 2020-03-17 |
| 分类号 | C30B30/04;C30B29/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 长泰惠龙新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 嘉兴金瑞光伏科技有限公司;长泰惠龙新材料科技有限公司 |
| 地址 | 314202 浙江省嘉兴市平湖市林埭镇保丰村01省道170号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅晶体的连续生长装置，尤其适用于单晶硅，准单晶硅及多晶硅的制备。所述装置具有双熔区：主熔炼室可以用于晶体生长，一个辅助投料熔炼室可以作为连续高温熔体投料区。辅助投料熔炼室：配有两区的感应加热磁场，用于给多晶料加热。当上熔炼系统的料用尽以后在坩埚下料口的感应线圈断电后具有强制冷却的作用，使得多晶料凝固密封下料口。连续投料区有两组电磁约束磁场，控制熔体的上下运动。晶体生长区具有电磁约束磁场，使得熔体在无侧壁坩埚的条件下定向生长。通过投料区可以多次向晶体生长区投高温熔体料，实现晶体的稳定连续生长。 |
