一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法

基本信息

申请号 CN201510386412.8 申请日 -
公开(公告)号 CN104966588B 公开(公告)日 2017-01-25
申请公布号 CN104966588B 申请公布日 2017-01-25
分类号 H01B13/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王振中 申请(专利权)人 厦门变格新材料科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园新丰路178号二楼A201室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法,包括如下步骤:1)在一基板上形成一层金属薄膜;2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶,其中光刻胶中随机均匀分散有纳米线,其中纳米线对紫外光不透明;3)平行紫外光照射光刻胶表面,纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光,而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光,显影后,光刻胶形成随机网格;4)刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜,得到纳米级随机排列的金属网格,其中金属网格线相互连接,形成透明的导电薄膜。本发明利用纳米线作为掩模,克服了在大尺寸掩模板上制作纳米级图形的困难,实现了纳米级的随机网格的图形化,工艺简洁,有利于卷对卷大面积量产。