一种窄线宽激光器
基本信息
| 申请号 | CN202022214888.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213278692U | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN213278692U | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 鲜青云;王任凡 | 申请（专利权）人 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 聂俊伟 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地（一期）1栋3层02室03号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种窄线宽激光器，窄线宽激光器包括从下往上外延生长的背电极、InP衬底层、有源区下限制层、InGaAsP有源区、有源区上限制层、InP层和InGaAs接触层，所述InGaAs接触层向下刻蚀有深沟槽阵列，每一个深沟槽的深度穿过所述InGaAsP有源区，所述InGaAs接触层上镀有金属电极。本实用新型采用深刻蚀槽可以减少光经过槽侧面时候的散射损耗，减少腔外损耗，输出线宽较窄，输出光能量密度高。 |
