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一种雪崩光电探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110019792.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112382689B	公开（公告）日	2021-05-11
申请公布号	CN112382689B	申请公布日	2021-05-11
分类号	H01L31/107;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	徐之韬;王权兵;王丹;余沛;王任凡	申请（专利权）人	武汉敏芯半导体股份有限公司
代理机构	北京中强智尚知识产权代理有限公司	代理人	郭晓迪
地址	430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述光电探测器外延结构从下至上依次包括：Si‑InP(Fe)衬底、N‑InP缓冲层、N‑接触层、N‑导电层、雪崩倍增层、电场控制层、AlGaInAs带隙过渡层、光吸收层、InGaAsP带隙过渡层、光窗层和P‑接触层；光电探测器还包括形成于P‑接触层、光窗层、InGaAsP带隙过渡层和光吸收层中的Zn扩散区、在N‑接触层上设置的N型电极、以及在Zn扩散区上设置的P型电极；其中，N‑接触层、P‑接触层和光窗层均采用InGaAsP材料制备而成。本发明通过将N‑接触层、P‑接触层和光窗层均采用InGaAsP材料制备而成，可有效提升光吸收效率，改善器件串联电阻，改善器件带宽，并使器件制作工艺流程更简单；使本发明提供的光探测器的产品可靠性提高。