一种双波长单片集成二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011126795.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112186082B | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112186082B | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张明洋;王任凡 | 申请（专利权）人 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李思霖 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地（一期）1栋3层02室03号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种双波长单片集成二极管及其制作方法，利用对接生长的方式，采用三次外延生长来实现三段式的结构，从而实现双波长的单片集成的超辐射发光二极管，其利用光致发光谱波长更长的多量子阱MQW1作为公共吸收区，两端分别集成不同波长的多量子阱MQW1，多量子阱MQW2来作为有源增益区。还提供一种采用上述方法制作的双波长单片集成二极管。采用本发明制作的边发射的超辐射发光二极管，在波导方向生长不同能带间隙的波长的材料，可以实现分开生长，而且不存在晶格匹配的问题，可以实现低波纹效应、宽光谱、大功率、多波长的功能。 |
