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一种半导体激光器及其制作方法

基本信息

申请号 CN202011544095.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112290382B 公开（公告）日 2021-04-02
申请公布号 CN112290382B 申请公布日 2021-04-02
分类号 H01S5/183(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱尧;周志强;刘倚红;王任凡 申请（专利权）人 武汉敏芯半导体股份有限公司
代理机构 北京中强智尚知识产权代理有限公司 代理人 王妍
地址 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器在谐振腔腔通过对接生长的方式集成无源区的第一波导层和第二波导层，在有源区注入电流产生光增益实现激射进行输出时，会经过无源区的双层波导，使得光场向下层波导耦合到达输出端面时，光斑垂直方向尺寸得到有效增加，近场光斑得到扩展，使得远场发散角减小，从而提高光束输出质量，有利于光束的调整，并提高了光纤耦合效率，减低封装耦合成本。同时，由于光场从无源区的双层波导向有源区的单层波导传输时，相对于仅仅采用单层波导，损耗会增加，从而对外部反馈光损耗增加，进而提高了激光器的抗反射能力。