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一种超辐射发光二极管及其制作方法

基本信息

申请号	CN202011223544.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112259649B	公开（公告）日	2021-08-24
申请公布号	CN112259649B	申请公布日	2021-08-24
分类号	H01L33/00（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/08（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张明洋;王任凡	申请（专利权）人	武汉敏芯半导体股份有限公司
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	许美红
地址	430014湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地（一期）1栋3层02室03号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，该方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长出下光限制层、第一MQW多量子阱层以及上光限制层；通过刻蚀去掉其中一部分第一MQW多量子阱层，然后在该区域对接生长第二MQW多量子阱层；两多量子阱层的能带间隙不同；然后制作出异质结掩埋结构；最后在有源区两侧的异质结掩埋结构中各刻蚀出一道沟槽，并在沟槽内均设置一定厚度的金属层，为有源区引入额外应变。本发明通过采用对接生长的方法，生长两种能带间隙不同的MQW多量子阱作为有源层，可以很好的控制外延生长的质量，通过在有源区两侧的沟槽内设置金属层，为有源区引入额外的应变，进而调整有源区应力分布，达到降低偏振消光比的效果。