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一种低温漂的带隙基准电压源

基本信息

申请号 CN202010794494.0 申请日 -
公开（公告）号 CN111949063A 公开（公告）日 2020-11-17
申请公布号 CN111949063A 申请公布日 2020-11-17
分类号 G05F1/567 分类 控制；调节;
发明人 史广达 申请（专利权）人 上海川土微电子有限公司
代理机构 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 代理人 上海川土微电子有限公司
地址 201306 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种低温漂的带隙基准电压源，包括Brokaw结构带隙基准电路，Brokaw结构带隙基准电路包括Q1、Q2、R1、R2、运算放大器A。Brokaw结构带隙基准电路还包括PM1、PM2，PM1的栅极与PM2的栅极及运算放大器A的输出端电连接，PM1的源极与PM2的源极电连接，PM1的漏极与运算放大器A的负极端及Q1的集电极电连接。PM2的漏极与Q2的集电极及运算放大器A的正极端电连接。其中，带隙基准电压源还包括高阶补偿电路，高阶补偿电路包括Q3、NM1、NM2、R3、ICTAT电流源。低温漂的带隙基准电压源能够使带隙基准电压源的温度系数小于3ppm/℃。