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一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容

基本信息

申请号 CN201811516650.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111312696B 公开（公告）日 2022-06-17
申请公布号 CN111312696B 申请公布日 2022-06-17
分类号 H01L23/64（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 丁万新;史广达;陶晶晶;陈东坡 申请（专利权）人 上海川土微电子有限公司
代理机构 上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容，涉及数字隔离器芯片领域，所述隔离电容包括下极板、上极板以及依次设置于下极板和上极板之间的SiO2层和钝化层，所述钝化层为SiO2和Si3N4的叠加，所述钝化层的厚度为2～3um，SiO2层的厚度为8～9um。本发明解决了现有技术中电容隔离器芯片的耐压值不能满足增强型隔离耐压要求的问题。