一种单晶金刚石激光打标生长方法

基本信息

申请号 CN201910434088.0 申请日 -
公开(公告)号 CN110219044A 公开(公告)日 2021-07-06
申请公布号 CN110219044A 申请公布日 2021-07-06
分类号 C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 胡付生;王琦;张天翊;张军恒;张军安 申请(专利权)人 宁波晶钻科技股份有限公司
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 代理人 胡拥军;糜婧
地址 315200 浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路777号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种单晶金刚石激光打标生长方法,其包括以下步骤:(S1)提供单晶金刚石种晶;(S2)提供激光标记设备,利用激光标记设备在单晶金刚石种晶表面进行标记形成缺陷;(S3)清除进行标记过程中产生的杂质;(S4)将标记后的单晶金刚石种晶放入化学气相沉积生长炉中,通入氢气和甲烷,比例为100:2至100:5,将炉内气压控制在10KPa~15KPa,控制炉内单晶金刚石种晶温度为700℃~800℃,生长时间大于10小时,以使得标记形成的缺陷被覆盖而不被填充,从而实现在单晶金刚石内部形成标记。本发明操作简单,加工速度快,以一种经济有效的方案实现了在金刚石内部进行标记,且做出的标记通过放大镜等放大设备或肉眼即可被观察到。