单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶
基本信息
| 申请号 | CN202010931816.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112048760A | 公开（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申请公布号 | CN112048760A | 申请公布日 | 2020-12-08 |
| 分类号 | C30B29/04(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张军安 | 申请（专利权）人 | 宁波晶钻科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁波聚禾专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宁波晶钻工业科技有限公司 |
| 地址 | 315000浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路777号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶。其中，单晶金刚石同质外延生长方法，包括以下步骤：S1.提供一单晶金刚石的片状籽晶，片状籽晶具有进行生长的顶面、与顶面相对的底面以及位于顶面与底面之间的侧面，侧面从底面到顶面向内倾斜地延伸；S2.将片状籽晶顶面朝上地设置在气相合成设备的基台上，然后采用气相合成法在片状籽晶上进行同质外延生长。本申请采用侧面为倾斜面的片状籽晶进行外延生长，使得外延生长较为容易，且生长时不易产生多晶，此外，由于生长后得到的单晶金刚石的侧面仍为倾斜面，因此可以在一次外延生长后再进行多次外延生长，从而获得较大尺寸的单晶金刚石。 |
