一种聚甲基丙烯酸甲酯基底介质增透膜及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种聚甲基丙烯酸甲酯基底介质增透膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011408757.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112553585A	公开（公告）日	2021-03-26
申请公布号	CN112553585A	申请公布日	2021-03-26
分类号	C23C14/22(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;G02B1/115(2015.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	谢雨江;原清海;林兆文;王奔	申请（专利权）人	上海米蜂激光科技有限公司
代理机构	北京清大紫荆知识产权代理有限公司	代理人	李思琼;冯振华
地址	200136上海市浦东新区泥城镇飞渡路55号3幢厂房A、B单元
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种聚甲基丙烯酸甲酯基底介质增透膜及其制备方法，该增透膜的膜系结构为：Sub/M/H/L/A；其中，Sub为PMMA基底层，M为Al2O3过渡层，H为Ta2O5高折射率膜层，L为SiO2低折射率膜层，A为空气层。该制备方法中利用磁控溅射方式制备PMMA基底上的过渡层，使过渡层实现了基底与后续功能层的稳定连接，同时利用电子束蒸发、离子束辅助方式制备功能层，极大地改善了后续功能层的应力状态，有效的解决了PMMA基底与膜层热膨胀系数差异导致的脱膜、机械强度低等问题。本发明制备的PMMA基底增透膜能够在940nm波段获得极高的透过率，具有可操作性强、制备工艺重复性好、产品质量优良等优点，可广泛应用于光电系统等领域。