一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010653924.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933604A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933604A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许海东;谌娟 | 申请（专利权）人 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京禹为知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区高湖路105号三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构，包括热熔材料，设置于芯片本体的周围；DBC模块，所述DBC模块设置于所述热熔材料的下方，与所述芯片本体焊接；底板，所述底板通过焊接设置于所述DBC模块下方。本发明的有益效果：芯片源极通过键合方式实现连接，不需要更换芯片或者增加芯片工艺；对芯片栅极位置无要求，可不改变DBC及芯片布局设计；芯片周围热容材料在芯片短路时吸收热量可迅速通过DBC的陶瓷向下传导，保证芯片具有较低的温度；方式灵活，可在芯片焊接以外的面积增加热容材料，提升芯片短路能力；结构原有键合设备可满足工艺要求。 |
