一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110645399.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257902A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257902A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许海东;谌容 | 申请（专利权）人 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京睿之博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈琛 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件包括N型漂移区，在N型漂移区上侧内设有若干沟槽，在沟槽内填充沟槽多晶硅，IGBT器件包括至少两个阈值电压不同的区域，阈值电压不同的区域的沟槽之间的间距不同，阈值电压不同的区域的栅极电阻不同：低阈值电压区域的沟槽之间的间距小于高阈值电压区域的沟槽之间的间距，低阈值电压区域的栅极电阻阻值大于高阈值电压区域的栅极电阻阻值。本发明提出的IGBT器件对开启时的产生的电压、电流振荡现象有着明显的改善作用，且不会明显降低正常使用时的开关速度；本发明提出的一种IGBT器件的制造方法，制造工艺简单，和现有工艺兼容，无需增加额外成本。 |
