一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202010507601.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111682069B | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN111682069B | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许海东;谌容;王曦 | 申请（专利权）人 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京禹为知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 朱宝庆 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区高湖路105号三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片，包括漂移区，所述漂移区设置于所述晶体管内；电流扩展区，所述电流扩展区设置于所述漂移区上方，杂质浓度自所述电流扩展区与所述漂移区的界面至所述电流扩展区的上表面呈梯度递减规律分布；p阱区，各所述p阱区被包裹设置于所述电流扩展区的上表面，且依次间距递增规律嵌于所述电流扩展区中使电流密度分布由芯片中央至边缘呈非均匀分布规律。本发明的有益效果：一是通过设置相邻p阱区之间的间距递增规律使电流密度分布由芯片中央至边缘呈非均匀分布规律，优化芯片不同区域的热分布，实现了芯片的温度性能的提升。 |
