一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810570229.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108807501B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN108807501B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 许海东 | 申请（专利权）人 | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关玲 |
| 地址 | 211106 江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，沿着终端区域(101)、过渡区域(102)和原胞区域(103)的纵向剖面，从下到上依次为：P+集电极层(204)、N+场截止层(203)、N漂移层(202)和表面PN+交替层(201)。所述绝缘栅双极晶体管的制备方法，是在N型衬底材料上通过增加一次N型离子注入，在原胞中充当载流子存储层，同时利用保护环P型注入，在原胞处形成PN电荷补偿结构，避免因N型离子注入引起的击穿电压降低，同时N型离子注入提高了终端表面的杂质浓度，可以降低可动电荷对终端表面电场的影响，并提高器件的耐压可靠性。 |
