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一种沟槽型IGBT器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010702279.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111739940B 公开（公告）日 2020-10-02
申请公布号 CN111739940B 申请公布日 2020-10-02
分类号 H01L29/739(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 许海东 申请（专利权）人 南京晟芯半导体有限公司
代理机构 南京睿之博知识产权代理有限公司 代理人 南京晟芯半导体有限公司
地址 211100江苏省南京市江宁区高湖路105号三楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域，本发明的沟槽型IGBT器件设有两种不同深度的沟槽结构，两种沟槽结构按一定的优化规则排列，典型的排列规则为每两个相邻深沟槽结构之间有1~3个短沟槽结构。短沟槽内形成栅氧和多晶硅，短沟槽内多晶硅与栅极金属相连成为栅极多晶，深沟槽内同样形成栅氧和多晶硅。本发明通过短沟槽结构底部通过注入形成N型CS层，CS层分布稳定，能够获得具有很好的存储电荷效果，使得器件具有优良的正向导通特性；在深沟槽结构下进行了P型注入，有效增强了器件的耐压特性和EAS能力；制造时将高温制程移到深沟槽结构形成之前，能够有效改善晶圆翘曲，提高器件可靠性。